Новый вид сверхпроводящей памяти разработали специалисты МФТИ и МГУ.

В основе новых ячеек памяти – квантовые эффекты и переходы Джозефсона. Для переключения состояния ячейки памяти физики предлагают использовать инъекционные токи, которые протекают через один из слоев сверхпроводника. Считывание можно выполнять с применением тока, проходящего через всю структуру. Это занимает в сотни раз меньше времени, чем перемагничивание ферромагнетика.