Samsung выпустила новые микросхемы памяти, делающие доступным размещение в смартфонах памяти емкостью 128 Гбайт.

Новые 128-гигабайтные решения построены на базе 3-разрядных NAND-модулей eMMC 5.0. Их пропускная способность составляет 260 Мбайт/сек при последовательном чтении. Они поддерживают до 6000 I/O операций при случайном чтении и до 5000 I/O операций при случайной записи. Эти характеристики подходят для работы в многозадачных средах, а также при воспроизведении HD-видео.