Группа компаний «Элемент» направит 4,4 млрд рублей на создание полного цикла производства силовых транзисторов на нитриде галлия (GaN). Проект будет реализован на базе воронежского НИИ электронной техники (НИИЭТ).
Группа компаний «Элемент», крупнейший разработчик и производитель микроэлектроники в России, инвестирует 4,4 млрд рублей в создание производства силовых транзисторов на нитриде галлия (GaN). Проект будет реализован на базе НИИ электронной техники (НИИЭТ) в Воронеже, одного из ведущих предприятий группы. Это позволит дополнить существующие мощности НИИЭТ по сборке СВЧ- и силовых GaN-транзисторов кристальным производством электронных компонентов, создав первое в России производство GaN-транзисторов полного цикла.
Нитрид галлия — перспективный полупроводниковый материал, превосходящий кремний по энергоэффективности, мощности и рабочей частоте. Такие транзисторы востребованы в серверных блоках питания, телекоммуникационном оборудовании и других высокотехнологичных устройствах. Проектная мощность нового производства составит 5,5 тыс. пластин в год в 200-миллиметровом эквиваленте.
Финансирование проекта осуществляется через механизм кластерной инвестиционной платформы (КИП) при поддержке Фонда развития промышленности. Выбор НИИЭТ обусловлен его опытом в серийном производстве силовых приборов на GaN, что ускорит запуск производства.