Компания TSMC начала массовое производство чипов по 2-нанометровому техпроцессу. Информация об этом появилась на официальном сайте компании. В заявлении говорится, что 2-нанометровая технология N2 была запущена в массовое производство в четвертом квартале 2025 года, в соответствии с ранее объявленными планами.
Это событие знаменует выход полупроводниковой отрасли на новый технологический уровень. В основе процесса N2 лежит нанолистовая транзисторная структура типа Gate-All-Around. По сравнению с предыдущим поколением N3E, новая технология обеспечивает повышение производительности на 10–15% при том же энергопотреблении либо снижение энергопотребления на 25–30% при той же производительности.
Массовое производство по техпроцессу N2 развернуто на заводе Fab 22 в Гаосюне на Тайване. Ранее TSMC неоднократно подтверждала свои планы по запуску процесса в четвертом квартале 2025 года. Переход на 2-нанометровый процесс означает преодоление физических ограничений, которые возникали при использовании транзисторной структуры FinFET на более тонких техпроцессах. Новая структура GAA обеспечивает лучшее управление током и позволяет увеличить плотность транзисторов.
Помимо новой транзисторной архитектуры, в процесс N2 интегрированы конденсаторы SHPMIM, которые способствуют повышению стабильности питания и общей энергоэффективности чипов. Ожидается, что технология N2 будет востребована в первую очередь для производства чипов для флагманских смартфонов, высокопроизводительных вычислений и систем искусственного интеллекта.
Компания прогнозирует ускоренное наращивание объемов производства в 2026 году для удовлетворения спроса со стороны ключевых клиентов в сегментах мобильных устройств, высокопроизводительных вычислений и ИИ.