Компания Micron объявила о начале масштабного проекта по строительству нового завода по производству кремниевых пластин в Сингапуре. Инвестиции в проект составят около 24 миллиардов долларов, а полный цикл строительства займет более десяти лет. Первая очередь производства пластин планируется к запуску во второй половине 2028 года.
Новый завод, получивший название Fab 10B, будет возведен на территории существующего производственного комплекса Micron в North Coast Wafer Fab Park. Его особенностью станет двухэтажная конструкция, которая позволит поэтапно наращивать мощности без увеличения занимаемой площади. После завершения строительства площадь чистых помещений составит до 700 000 квадратных футов, что более чем вдвое превышает текущие мощности Micron в Сингапуре по производству памяти 3D NAND.
Предприятие будет ориентировано на выпуск высокопроизводительной 3D NAND-памяти следующего поколения, включая устройства с более чем 500 активными слоями, прежде всего для применений в искусственном интеллекте и центрах обработки данных. При этом конфигурация завода сохраняет гибкость для производства и других типов памяти в ответ на изменения рыночного спроса. Помимо серийного производства, фабрика будет использоваться для научно-исследовательских работ, что ускорит внедрение новых технологий и углубит сотрудничество с академическими и промышленными партнерами в регионе.
Как отметил исполнительный вице-президент по глобальным операциям Micron Маниш Бхатиа, эти инвестиции подчеркивают долгосрочную приверженность компании Сингапуру как ключевому узлу глобальной производственной сети, что повышает устойчивость цепочек поставок. Параллельно Micron расширяет свое присутствие в Азии, недавно приобретя производственную площадку на Тайване за 1,8 миллиарда долларов. Кроме того, в Сингапуре также ведется строительство завода по сборке высокопроизводительной памяти HBM, который должен внести существенный вклад в объемы производства компании к 2027 году.