Специалисты Южного федерального университета представили технологию, позволяющую размещать сверхтонкие полупроводниковые структуры в строго заданных участках на кремниевой поверхности. Как сообщается, данная методика направлена на повышение эффективности производства фотонных чипов, оптических сенсоров и ряда других устройств.
В основе разработки лежит локальное изменение условий роста структур за счет облучения кремния ионами галлия по заданному шаблону. Ученые выяснили, что главным фактором, определяющим появление наноструктур, является не энергия облучения или время термообработки, а именно количество ионов, попадающих в конкретную область. Регулируя этот параметр, можно как активировать, так и полностью блокировать рост материала в нужных точках.
Одним из преимуществ нового подхода его авторы называют отсутствие сложных и дорогостоящих промежуточных операций. Это делает процесс более гибким и менее затратным по сравнению с существующими методами. В рамках экспериментов ученым удалось сформировать не только простые геометрические контуры, но и наноструктуры в виде логотипа и аббревиатуры университета.
В перспективе технология может быть востребована при создании компактных лазеров, высокочувствительных датчиков и оптических вычислительных систем, где требуется совмещение электронных и фотонных компонентов на одной кремниевой платформе.
В настоящее время ученые намерены перейти к созданию действующих прототипов источников и приемников оптического сигнала на базе полученных материалов. Также ведутся работы по адаптации данной методики для интеграции в стандартные производственные процессы и возможного применения в мелкосерийном выпуске полупроводниковых приборов.
Читайте также: «В России завершили сборку спутника «КОЭН» с рекордным разрешением».