Samsung представила технологию флеш-памяти V10 BV-NAND, в которой используется более 400 слоёв ячеек. По данным компании, по сравнению с предыдущим поколением V9 плотность хранения данных выросла на 58%, скорость ввода-вывода увеличилась на 33%, а энергопотребление снизилось на 25%.
Увеличение числа слоев позволяет размещать больше ячеек памяти на той же площади. Один из основных элементов технологии V10 — усовершенствованное соединение компонентов: ячейки памяти и периферийные схемы изготавливают отдельно, а затем соединяют по вертикали. Такой подход помогает повысить плотность размещения элементов.
Для серверов Samsung готовит SSD PM1763 с интерфейсом PCIe Gen6. Накопитель использует память V-NAND TLC и усовершенствованную систему охлаждения. Образцы устройства планируют предоставить в четвёртом квартале 2026 года.
Отдельное направление — память zNAND-O для устройств с ИИ. Samsung разрабатывает варианты с четырьмя и восемью слоями. Предполагается, что такая архитектура поможет снизить затраты на память при запуске крупных моделей непосредственно на устройствах, без постоянной зависимости от облачных вычислений.
По данным компании, плотность хранения zNAND-O в десять раз выше, чем у DRAM, а пропускная способность чтения и энергоэффективность при чтении в семь раз превышают показатели обычной NAND-памяти. В моделировании с использованием ИИ-модели Kimi K2-1T архитектура с zNAND-O позволила сократить стоимость памяти до четверти от исходной при сопоставимой производительности.
Читайте также:
Продажи складных смартфонов Samsung выросли после выхода iPhone Duo
Kioxia показала SSD для ИИ с производительностью более 20 млн IOPS