В Университете Райса (штат Техас) разработана память из оксида кремния и графена. Энергонезависимые (резистивные) модули отличает прозрачность и гибкость. Эти свойства позволят создавать более эргономичные носимые компьютеры и упростить архитектуру и снизить массу таких устройств, как очки и шлемы дополненной реальности.
Разработка базируется на результатах предыдущего исследования, выполненного командой учёных под руководством Джеймса Тура (James Tour) и Дугласа Нейтелсона (Douglas Natelson) в 2008 году.
При определённой разности потенциалов в тонком листе оксида кремния формируются временные токопроводящие каналы шириной около 5 нм. Таким способом можно кодировать логические единицы и нули, локально меняя диэлектрическую проницаемость.
Из-за малой ширины каналов становится возможным создание резистивной памяти с высокой плотностью хранения данных. Технология позволяет легко выполнять масштабирование и создавать как однослойные, так и объёмные логические схемы.
Изначально в качестве электродов и подложки предполагалось использовать графит, затем возникла идея применять тонкие слои оксида индия и олова, однако в настоящее время по результатам тестов и совокупности свойств самым предпочтительным материалом считается графен.
В серии экспериментов память на основе оксида кремния и графена выдерживала нагревание до 700 °С. Теоретически она также устойчива к воздействию ионизирующего излучения. Проверить последнее можно будет совсем скоро – по описанной технологии в Университете Райса были созданы модули памяти для некоторых научных приборов, проходящие испытание в условиях работы на МКС.