Право, иногда заголовки в научно-популярных новостях выглядят сюрреалистичнее любой фантастики. Вот, например: «Впервые лазеры вырастили прямо на кремнии» (First lasers grown directly on silicon chips).
Оказывается, действительно вырастили: в Университете штата Калифорния в Беркли нашли способ решить проблему несовпадения кристаллических решёток кремния и арсенида галлия (составного полупроводникового материала). Теперь возможно выращивать на поверхности кремниевой пластины микроскопические шестиугольные столбики из индий-галлий-арсенида (InGaAs) с диаметром основания в полмикрометра. Производятся они, как подсказали в комментариях, путём химического газофазного осаждения.
Эти «конструкции», пишет New Scientist, ведут себя как лазеры, когда на их вершины попадает излучение от другого — стороннего лазера. Сейчас исследователи ищут способ заставить эти «нанолазеры» самостоятельно излучать свет.
Зачем это всё нужно? Конечная цель — электроника (хотя её будет правильнее называть как-то иначе), где внутренняя передача данных будет осуществляться с помощью фотонов, а не электронов: в отличие от последних, фотоны мало взаимодействуют друг с другом, поэтому, пишет New Scientist, могут передавать информацию куда эффективнее.
Возможность «выращивать» нанолазеры на поверхности кремниевых пластин — довольно существенный шаг в этом направлении, но таковых науке предстоит сделать ещё очень много.