Сотрудникам Университета Южного Уэльса удалось создать функционирующий “одноатомный” транзистор. Да, они не первые, кто это сделал, однако группа исследователей во главе с Мишель Симмонс (Michelle Simmons) и Мартином Фюхсле (Dr. Martin Fuechsle) смогла добиться точнейшего позиционирования атомов (атомов фосфора, если конкретнее) на кремниевой пластине.

Упрощённо техпроцесс выглядит следующим образом: стерильная кремниевая пластина покрывается слоем водородных атомов, затем с помощью иглы сканирующего туннельного микроскопа с отдельных участков пластины удаляется водород, после чего она обрабатывается фосфином (PH3). В результате отдельные атомы фосфора пристают к кремниевой пластине только там, где водород отсутствует.

Таким образом, исследователям удалось найти способ в буквальном смысле “рисовать” на кремниевой пластине атомами фосфора, располагая их строго там, где они должны быть, и создавая тем самым нужную структуру.

Структура "одноатомного" транзистора (изображение nature.com)
Структура "одноатомного" транзистора. Буквами S и D обозначены исток и сток транзистора, буквами G - затворы. (Изображение: Nature)

Одноатомные транзисторы – это, видимо, предел миниатюризации твердотельных устройств. Именно такие транзисторы лежат в основе многих проектов по созданию квантовых вычислительных устройств.

Согласно закону Мура, одноатомные транзисторы должны были бы появиться примерно к 2020 году, однако, похоже, кое-кому удалось поторопить события.