Компания Toshiba Memory сообщила о начале выпуска новой памяти для твердотельных устройств XL-FLASH. Это флэш-память BiCS FLASH 3D, в которой каждая ячейка хранит один бит. Новинка отличается низкими задержками и высокой производительностью. Первые образцы поступят партнёрам компании в сентябре, а массовое производство стартует в будущем году.
Как отмечается, XL-FLASH превосходит обычную флэш-память NAND по производительности, и устраняет разрыв между NAND и DRAM. Память NAND дешевле, но медленнее оперативной. XL-FLASH же располагается между ними, в том числе по цене.
Новая память базируется на кристаллах плотность 128 Гбит, а микросхема может включать два, четыре или восемь кристаллов. Предполагается, что первыми накопителями с новой памятью станут SSD, но затем могут появиться и NVDIMM — модули, подключённые к шине DRAM.
Что касается известных параметров, то новинке приписывают размер страницы в 4 КБ (это повышает скорость чтения и записи), а также задержку не более 5 микросекунд, что на порядок меньше, чем у TLC NAND. Правда, количество циклов перезаписи пока не уточняется.
Ранее Intel представила универсальные модули памяти Optane DC для серверов. Они позиционируются в качестве гибридных решений для дата-центров и сочетают в себе преимущества модулей ОЗУ и твердотельной памяти.
Тем временем Samsung начала массовый выпуск 100-слойной памяти 3D NAND и обещает 300-слойную. Сейчас максимально возможная конфигурация допускает выпуск чипов со 136 слоями, что становится новой вехой на пути к более плотной флэш-памяти 3D NAND. Отсутствие чёткой конфигурации памяти намекает, что чип с более чем 100 слоями собирается из двух или, скорее всего, из трёх монолитных кристаллов 3D NAND (например, из 48-слойных). В процессе спайки кристаллов часть пограничных слоёв разрушается, и это делает невозможным точно указать число слоёв в кристалле, чтобы Samsung потом не обвинили в неточности.
96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND, а 144-слойная (136-слойная, с учётом дефектов) — из трёх.
Тем не менее, в Samsung настаивают на уникальном сквозном травлении кристаллов (channel hole etching), которое открывает возможность насквозь пронзить толщу монолитной структуры и соединить горизонтальные массивы флэш-памяти в один чип памяти. Первой 100-слойной продукцией стали чипы 3D NAND TLC ёмкостью 256 Гб. Чипы на 512 Гб со 100(+) слоями компания начнёт выпускать осенью.
На основе 100-слойной памяти Samsung начала выпуск SSD на 256 Гбайт с интерфейсом SATA. Продукция будет поставляться OEM-производителям ПК.
Новая 3D NAND TLC в целом оказалась на 10 % быстрее 96-слойной памяти. При этом потребление удалось снизить на 15 %. Самое интересное, что на основе 100-слойной 3D NAND компания обещает следующей выпустить 300-слойную 3D NAND, состыковав три 100-слойных кристалла.