Специалисты из российского Национального исследовательского технологического университета «МИСиС» и японского Национального института квантовых наук и радиологии нашли способ увеличить вместительность флеш-накопителей и преодолеть лимит перезаписи. Для этого ученые использовали графен и полуметаллический сплав Гейслера.
Фото: pubs.acs.org
Графен позволил увеличить емкость памяти с помощью увеличения плотности записи. Ранее это не удавалось, так как материал вступал в реакцию с магнитным слоем носителей и менял свои свойства. Однако сплав Гейслера в правильном сочетании с графеном помог решить эту проблему. Кроме того, это сочетание гипотетически позволяет добиться неограниченного количества операций перезаписи.
Российские ученые в этом проекте занимаются теоретическим описанием исследований, а японские проводят эксперименты. Следующая задача исследователей — масштабирование экспериментального образца флеш-накопителя.