Новая архитектура представляет собой 3D-матрицу узловых селекторов, соединенных через ячейки упакованной памяти. При такой схеме организации память работает в несколько тысяч раз быстрей, чем флэш-память NAND. Операции доступа, чтения и записи задаются уровнем заряда в узле, что сокращает количество применяемых транзисторов. Сейчас идет процесс запуска в массовое производство. Продажи начнутся в 2016 г.

Реклама на Компьютерре