До недавнего времени электроника прочно отождествлялась с кремнием. Его поликристаллическая модификация применяется для создания микросхем, что нашло отражение в названии крупнейшего технологического центра США – Кремниевой Долины. Однако в последние годы предпринимаются попытки найти более перспективные полупроводники с лучшими характеристиками. На их роль претендуют графен и соединения молибдена, а недавно в Университете штата Нью-Йорк в Буффало синтезировали ещё одного кандидата на замену кремнию – нановолокна из оксида ванадия и свинца.

Группа под руководством Питера Марли (Peter M. Marley) создала волокна длиной до 180 нм из вещества с формулой ?-PbxV2O5. За счёт упорядоченной структуры они сильно отличаются по свойствам от макрообразцов. Атомы свинца, расположенные в строго определённых участках, формируют электронные пулы. В обычном состоянии волокна являются диэлектриком, а при подаче напряжения электронные пулы сливаются и структура приобретает свойства проводника.

Полупроводниковые нановолокна ?-PbxV2O5 (фото: Peter Marley)

Такое переключение состояний может осуществляться с гораздо более высокой частотой, чем у других известных материалов. Лабораторные образцы показывали хорошие результаты при комнатной температуре, а технология масштабирования в целом не вызывает вопросов. Однако авторы исследования отмечают необходимость оптимизации технологических процессов, поскольку работа со свинцом и существующими продуктами промежуточных реакций требует повышенных мер производственного контроля.

Реклама на Компьютерре