Хотя современные чипы флэш-памяти покорили рубеж в 20 нм и способны вместить гигабайты, поиски более совершенных методов хранения данных продолжаются. Ключевым направлением для дальнейшей миниатюризации носителей информации может стать управление состоянием отдельных молекул. Выборочное изменение их электрических или магнитных свойств позволит на порядки увеличить плотность записи.

Долгое время это было всего лишь красивой идеей, однако недавно учёные сделали большой шаг на пути к созданию молекулярных хранилищ данных.

Исследовательской группе под руководством профессора Ричарда Берндта из Института экспериментальной и прикладной физики Кильского университета (Германия) удалось разработать методику избирательного изменения магнитных свойств отдельных молекул. Результаты будут опубликованы 25 июня в журнале Angewandte Chemie.

Компьютерная модель электронно-индуцированного спинового перехода в двойном слое молекул на поверхности золота (фото Holger Naggert & Thiruvancheril Gopakumar)

Разместив на тонкой плёнке из золота комплексы двухвалентного железа, учёным удалось переключать магнитное состояние отдельных молекул с помощью сканирующего туннельного микроскопа. Это происходило под действием явления, известного как электронно-индуцированный спиновой переход. Устойчивый результат наблюдался несмотря на высокую плотность слоя металлокомплексов.

Подходящие комплексы с эффектом спин-кроссовера были синтезированы в Институте неорганической химии Кильского университета. Эффекты изменения магнитных свойств под влиянием внешних воздействий известны давно, однако впервые продемонстрирована возможность осуществлять их селективно для отдельных молекул. Следующим шагом планируется подобрать соединения с такими свойствами, которые позволят менять их магнитное состояние с помощью света.

Реклама на Компьютерре