Micron Technology и Intel объявили о начале поставок первой в отрасли флэш-памяти типа NAND, способной хранить в каждой ячейке 4 бита (QLC NAND). Кристаллы QLC NAND с 64-слойной структурой характеризуются наибольшей в мире плотностью 1 Тбит. Идет разработка трехмерной структуры NAND из 96 слоев, что еще более увеличит удельную плотность хранения. Intel и Micron обещают довести 96-слойную технологию 3D NAND до опытного производства в текущем году. Это ещё на 50% повысит плотность записи.

В обоих случаях (64-слойной памяти QLC NAND и 96-слойной TLC NAND) используется техпроцесс CuA, позволяющий уменьшить размеры кристалла и повысить производительность. Память QLC NAND хорошо подойдет для облачных рабочих нагрузок с интенсивным чтением, для потребительских и клиентских вычислительных приложений. Емкость BGA-чипа, содержащего в себе 16 таких кристаллов, составит 2 Тб.

Чип 64-слойной памяти 3D NAND использует четыре банка памяти вместо двух. Четыре логических и физических массива  обеспечить параллельный доступ к памяти, что ускоряет операции чтения и записи. Недостатком QLC NAND является более низкая выносливость по сравнению с TLC NAND, использующейся во многих современных SSD. Она может выдержать около 1 тыс. циклов перезаписи, тогда как чип TLC NAND – 3 тыс. циклов.

Ожидается, что новые накопители поступят в продажу осенью. Основными потребителями станут дата-центры, однако Intel намерена наладить выпуск сверхъемких SSD и для потребительского сегмента. Первым устройством на базе 3D NAND QLC стал SSD Micron 5210 ION емкостью 1,92 до 7,68 Тб.

Что касается 96-слойной 3D NAND, то она может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND. Первыми выпуск 96-слойной памяти 3D NAND обещают начать компании WD и Toshiba в третьем или в четвёртом квартале текущего года. Ещё в прошлом году Samsung показала опытный чип ёмкостью 1 Тбит с записью 4 бит в каждую ячейку (QLC, Quad-Level Cell).