Компании Sandisk и SK hynix официально представили спецификацию High Bandwidth Flash (HBF) — совместно разработанную технологию хранения данных, которая объединяет энергонезависимость 3D NAND и производительность High Bandwidth Memory (HBM). Спецификация выпущена через Open Compute Project (OCP) в качестве открытого стандарта.
Начальная спецификация определяет пакеты HBF емкостью до 512 ГБ с использованием 8- или 16-слойных стеков NAND. Это специализированные устройства с быстрым интерфейсом, а не стандартные стеки 3D NAND. Производительность HBF разделена на три класса пропускной способности — от 0,4 ТБ/с до 3,0 ТБ/с. Для сравнения: максимальная пропускная способность одного стека HBM4 составляет 2 ТБ/с. Однако HBF уступает HBM4 по латентности.
SK hynix заявляет, что HBF использует стандарт Universal Chiplet Interconnect Express (UCIe) для упрощения интеграции с гетерогенными вычислительными платформами. Sandisk утверждает, что HBF будет использовать интерфейс xPU-HBF, который, вероятно, является реализацией UCIe. Спецификация также определяет электрические и интерфейсные характеристики, требования к упаковке и надежности стековых устройств HBF, а также требования к программному вводу-выводу.
Sandisk и SK hynix позиционируют HBF как новый уровень памяти для рабочих нагрузок вывода (inference) в системах ИИ. Технология сочетает пропускную способность, близкую к памяти, с высокой емкостью и энергонезависимостью NAND. В то время как максимальная емкость стека HBM4 составляет 64 ГБ, стек HBF может обеспечить до 512 ГБ. Это позволяет использовать HBF для задач, требующих значительно больших массивов памяти рядом с вычислительными блоками, чем может экономически обеспечить HBM.
Главный вопрос — кто примет технологию. С момента анонса планов по сотрудничеству в 2025 году интерес к участию в консорциуме HBF выразили только Google и Tenstorrent. AMD, Broadcom, Intel, Nvidia, Marvell, Micron, Qualcomm, Samsung и Western Digital пока не проявили интереса к HBF.
Читать еще по теме: Представлена рекордная 3D NAND память с 332 слоями и скоростью 4800 МТс