В «Сириусе» завершилась Школа молодых ученых форума «Микроэлектроника» при поддержке НЦМУ «Центр перспективной микроэлектроники» МФТИ.
Школа проходила в восьмой раз и собрала студентов, аспирантов и молодых сотрудников институтов РАН, университетов и предприятий. За четыре дня научной программы участники представили около 390 устных и постерных докладов в 17 секциях, от травления кремниевых пластин до нейроинтерфейсов и квантовых вычислений. Дипломы лучших докладчиков получили 47 участников.
Интерес к мемристорам связан с тем, как устроены обычные компьютеры. Процессор и память в них разнесены, и при работе нейросетей основная часть энергии уходит на то, чтобы гонять данные между ними. Мемристор меняет сопротивление в зависимости от того, какой ток через него прошел, и сохраняет это состояние без питания. Такой элемент может хранить данные и сразу вычислять с ними в одном месте, примерно так, как работает синапс в мозге, который усиливается или ослабевает от опыта. На Школе показали мемристоры из оксидов гафния и циркония, ниобата лития, полимерных пленок, которые продолжают работать при изгибе, а также матрицы таких ячеек, изготовленные на отечественной КМОП-технологии. Одна из работ проверяла, как спайковая нейросеть, построенная по принципу настоящих нейронов, обрабатывает русский язык.
Двумерные материалы нужны по другой причине. Когда канал кремниевого транзистора становится тоньше нескольких нанометров, электроны начинают просачиваться там, где их не ждут, и транзистор хуже закрывается. Дисульфид молибдена толщиной в три атома сохраняет полупроводниковые свойства, и его рассматривают как один из кандидатов на смену кремнию. Об этом рассказала в пленарной лекции Анна Черникова. Антон Ханас посвятил доклад мемристорам, Андрей Зенкевич рассказал о сегнетоэлектрической памяти на основе оксида гафния, который фабрики уже используют при производстве микросхем. Среди секционных работ были транзисторы, где сегнетоэлектрик нанесён прямо на двумерный слой, и сенсор на двумерных транзисторах, определяющий кислотность вина.
«Сам эффект переключения сегодня воспроизводят многие лаборатории. Трудности начинаются, когда ячеек в матрице миллион и все они должны переключаться одинаково, не деградировать после миллиардов циклов и уживаться с обычной кремниевой схемой на одном кристалле. Самые сильные доклады молодых групп были как раз об этом: о разбросе параметров, старении ячеек, о том, как предсказать отказ до того, как он случится. Здесь же, в зале, авторы слышат вопросы от технологов с производства, и это для них полезнее любой рецензии».
Виктор Иванов, член-корреспондент РАН, заместитель председателя программного комитета Школы, руководитель проекта НЦМУ «Центр перспективной микроэлектроники» МФТИ
Организаторами Школы выступили Научный центр мирового уровня «Центр перспективной микроэлектроники», АО «НИИМЭ», МФТИ и Научный совет ОНИТ РАН. В ее рамках прошел финал открытого отбора Фондом перспективных исследований предложений по развитию перспективной электроники. Лучших докладчиков наградили на открытии форума «Микроэлектроника», расширенные тезисы докладов опубликуют весной 2027 года в журнале «Наноиндустрия».